Elaboración y caracterización de silicio poroso mediante ataque electroquímico

Rosas Díaz, Harold Rolando

Publicación:
Elaboración y caracterización de silicio poroso mediante ataque electroquímico

dc.contributor.author	Rosas Díaz, Harold Rolando	spa
dc.coverage.spatial	(Ibagué - Tolima - Colombia)	spa
dc.coverage.tgn	(Mundo, Suramérica, Colombia, Tolima) [1023837]	spa
dc.date.accessioned	2017-10-26T22:32:36Z
dc.date.available	2017-10-26T22:32:36Z
dc.date.issued	2013
dc.description	103 p. Recurso Electrónico	spa
dc.description.abstract	Se presenta un sistema para la elaboración de silicio poroso tipo P y tipo N utilizando la técnica de ataque electroquímico con tiempos de ataque que varían desde los 15 hasta los 120 minutos, también se varia la distancia entre los electrodos y la densidad de corriente, estas muestras son caracterizadas con las técnicas: microscopia óptica, microscopia electrónica de barrido, microscopia de fuerza atómica, luminiscencia, rayos-X, Espectroscopia Raman, Técnica Fotoacústica, además se hace un análisis de la curva corriente contra voltaje durante el proceso de elaboración. Dentro de los resultados obtenidos se observa una uniformidad en los poros cuyos diámetros están en el orden de los nanómetros y su profundidad depende del tiempo de ataque y densidad de corriente usada. Las muestras de silicio tipo P y las de silicio tipo N presentan luminiscencia, las muestras evidencian estar compuestas de silicio, oxido de silicio y flúor. Con la caracterización térmica hallamos para la capa porosa los valores de efusividad térmica, difusividad térmica, conductividad térmica y calor específico.	spa
dc.description.abstract	Present a system for the preparation of porous silicon P type and N type using electrochemical etching technique with attack times ranging from 15 to 120 minutes, the distance between the electrodes and the current density also varies, these samples are characterized with techniques: optical microscopy, scanning electron microscopy, atomic force microscopy, luminescence, Raman spectroscopy, X-ray, Photoacoustic Technique, plus an analysis of current versus voltage curve during processing is done. A result within the uniformity in the pores with diameters in the order of nanometers and the depth depends on the attack time and current density used is observed. Samples P-type silicon and N-type silicon luminesce, samples evidenced be composed of silicon, silicon oxide and fluorine. The thermal characterization found for the porous layer thermal effusivity values, thermal diffusivity, specific heat and thermal conductivity. Key Words: Semiconductor, porous Silicon, assault electrochemical, hydrofluoric acid	spa
dc.format.mimetype	application/pdf	spa
dc.identifier.uri	https://repository.ut.edu.co/handle/001/1819
dc.language.iso	spa	spa
dc.publisher	Ibagué : Universidad del Tolima, 2013	spa
dc.publisher.providerCountry	(CO COL 170)	spa
dc.rights	Atribución-NoComercial-CompartirIgual 2.5 Colombia (CC BY-NC-SA 2-5 CO)	spa
dc.rights.accessrights	info:eu-repo/semantics/restrictedAccess	spa
dc.rights.uri	http://www.creativecommons.org/licenses by-nc/2.5/co/	spa
dc.subject	semiconductor	spa
dc.subject	silicio poroso	spa
dc.subject	ataque electroquímico	spa
dc.subject	ácido fluorhídrico	spa
dc.thesis.discipline	Facultad de Ciencias - Maestría en Ciencias - Fisica	spa
dc.thesis.grantor	Florido Cuellar, Alex Enrique - Director	spa
dc.thesis.level	Maestría	spa
dc.thesis.name	Magíster en Ciencias - Física	spa
dc.title	Elaboración y caracterización de silicio poroso mediante ataque electroquímico	spa
dc.type	Trabajo de grado - Maestría	spa
dc.type.dcmi-type-vocabulary	Text	spa
dc.type.driver	info:eu-repo/semantics/masterThesis	spa
dc.type.version	info:eu-repo/semantics/submittedVersion	spa
dspace.entity.type	Publication