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dc.contributor.authorRosas Díaz, Harold Rolandospa
dc.coverage.spatial(Ibagué - Tolima - Colombia)spa
dc.date.accessioned2017-10-26T22:32:36Z-
dc.date.available2017-10-26T22:32:36Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.urihttp://repository.ut.edu.co/handle/001/1819-
dc.description103 p. Recurso Electrónicospa
dc.description.abstractSe presenta un sistema para la elaboración de silicio poroso tipo P y tipo N utilizando la técnica de ataque electroquímico con tiempos de ataque que varían desde los 15 hasta los 120 minutos, también se varia la distancia entre los electrodos y la densidad de corriente, estas muestras son caracterizadas con las técnicas: microscopia óptica, microscopia electrónica de barrido, microscopia de fuerza atómica, luminiscencia, rayos-X, Espectroscopia Raman, Técnica Fotoacústica, además se hace un análisis de la curva corriente contra voltaje durante el proceso de elaboración. Dentro de los resultados obtenidos se observa una uniformidad en los poros cuyos diámetros están en el orden de los nanómetros y su profundidad depende del tiempo de ataque y densidad de corriente usada. Las muestras de silicio tipo P y las de silicio tipo N presentan luminiscencia, las muestras evidencian estar compuestas de silicio, oxido de silicio y flúor. Con la caracterización térmica hallamos para la capa porosa los valores de efusividad térmica, difusividad térmica, conductividad térmica y calor específico.spa
dc.description.abstractPresent a system for the preparation of porous silicon P type and N type using electrochemical etching technique with attack times ranging from 15 to 120 minutes, the distance between the electrodes and the current density also varies, these samples are characterized with techniques: optical microscopy, scanning electron microscopy, atomic force microscopy, luminescence, Raman spectroscopy, X-ray, Photoacoustic Technique, plus an analysis of current versus voltage curve during processing is done. A result within the uniformity in the pores with diameters in the order of nanometers and the depth depends on the attack time and current density used is observed. Samples P-type silicon and N-type silicon luminesce, samples evidenced be composed of silicon, silicon oxide and fluorine. The thermal characterization found for the porous layer thermal effusivity values, thermal diffusivity, specific heat and thermal conductivity. Key Words: Semiconductor, porous Silicon, assault electrochemical, hydrofluoric acidspa
dc.format.mimetypeapplication/pdfspa
dc.language.isospaspa
dc.publisherIbagué : Universidad del Tolima, 2013spa
dc.rightsAtribución-NoComercial-CompartirIgual 2.5 Colombia (CC BY-NC-SA 2-5 CO)spa
dc.rights.urihttp://www.creativecommons.org/licenses by-nc/2.5/co/spa
dc.subjectsemiconductorspa
dc.subjectsilicio porosospa
dc.subjectataque electroquímicospa
dc.subjectácido fluorhídricospa
dc.titleElaboración y caracterización de silicio poroso mediante ataque electroquímicospa
dc.typeTrabajo de grado - Maestríaspa
dc.rights.accessrightsinfo:eu-repo/semantics/restrictedAccessspa
dc.thesis.disciplineFacultad de Ciencias - Maestría en Ciencias - Fisicaspa
dc.thesis.grantorFlorido Cuellar, Alex Enrique - Directorspa
dc.thesis.levelMaestríaspa
dc.thesis.nameMagíster en Ciencias - Físicaspa
dc.type.dcmi-type-vocabularyTextspa
dc.type.driverinfo:eu-repo/semantics/masterThesisspa
dc.type.versioninfo:eu-repo/semantics/submittedVersionspa
dc.coverage.tgn(Mundo, Suramérica, Colombia, Tolima) [1023837]spa
dc.publisher.providerCountry(CO COL 170)spa
Appears in Collections:AFA. Tesis y Trabajos de Grado

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