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Título : Elaboración y caracterización de silicio poroso mediante ataque electroquímico
Autor : Rosas Díaz, Harold Rolando
Palabras clave : semiconductor
silicio poroso
ataque electroquímico
ácido fluorhídrico
Fecha de publicación : 2013
Editorial : Ibagué : Universidad del Tolima, 2013
Resumen : Se presenta un sistema para la elaboración de silicio poroso tipo P y tipo N utilizando la técnica de ataque electroquímico con tiempos de ataque que varían desde los 15 hasta los 120 minutos, también se varia la distancia entre los electrodos y la densidad de corriente, estas muestras son caracterizadas con las técnicas: microscopia óptica, microscopia electrónica de barrido, microscopia de fuerza atómica, luminiscencia, rayos-X, Espectroscopia Raman, Técnica Fotoacústica, además se hace un análisis de la curva corriente contra voltaje durante el proceso de elaboración. Dentro de los resultados obtenidos se observa una uniformidad en los poros cuyos diámetros están en el orden de los nanómetros y su profundidad depende del tiempo de ataque y densidad de corriente usada. Las muestras de silicio tipo P y las de silicio tipo N presentan luminiscencia, las muestras evidencian estar compuestas de silicio, oxido de silicio y flúor. Con la caracterización térmica hallamos para la capa porosa los valores de efusividad térmica, difusividad térmica, conductividad térmica y calor específico.
Present a system for the preparation of porous silicon P type and N type using electrochemical etching technique with attack times ranging from 15 to 120 minutes, the distance between the electrodes and the current density also varies, these samples are characterized with techniques: optical microscopy, scanning electron microscopy, atomic force microscopy, luminescence, Raman spectroscopy, X-ray, Photoacoustic Technique, plus an analysis of current versus voltage curve during processing is done. A result within the uniformity in the pores with diameters in the order of nanometers and the depth depends on the attack time and current density used is observed. Samples P-type silicon and N-type silicon luminesce, samples evidenced be composed of silicon, silicon oxide and fluorine. The thermal characterization found for the porous layer thermal effusivity values, thermal diffusivity, specific heat and thermal conductivity. Key Words: Semiconductor, porous Silicon, assault electrochemical, hydrofluoric acid
Descripción : 103 p. Recurso Electrónico
URI : http://repository.ut.edu.co/handle/001/1819
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